Samsung Semiconductor hôm nay đã tiết lộ “một loại DRAM đặc biệt” mà công ty tuyên bố là hoàn hảo cho AI di động (trí tuệ nhân tạo) và các ứng dụng chơi game. Nó được gọi là LLW DRAM, viết tắt của IO có độ trễ thấp.

Samsung ban đầu thông báo rằng họ đang phát triển LLW DRAM vào tháng 1 năm nay tại Ngày công nghệ . Công ty cũng đã nói ngắn gọn về LLW vào tháng 10 tại Ngày công nghệ bộ nhớ , nơi công ty giới thiệu các giải pháp HBM3E Shinebolt và LPDDR5X CAMM2.

Hôm nay, Samsung đã nhắc nhở mọi người về chip LLW của mình qua một video. Samsung Semiconductor đã nhờ X (trước đây là Twitter) đăng một quảng cáo dài 44 giây giới thiệu LLW DRAM.

Đánh giá qua video này, giải pháp LLW thường nằm ngay bên cạnh CPU trên SoC, điều này hợp lý khi đưa ra tuyên bố về “Độ trễ thấp” của nó.

Nhưng thật thú vị, video gợi ý rằng chip LLW sẽ hoạt động cùng với CPU thay vì thay thế hoàn toàn DRAM truyền thống.

Galaxy S24 sẽ có LLW DRAM?

Hiện chưa rõ chính xác khi nào LLW DRAM sẽ được sử dụng trên chipset Samsung, nhưng rất có thể dòng Galaxy S24 sẽ là smartphone đầu tiên sử dụng công nghệ này.

Samsung đã chuẩn bị các tính năng AI mới cho chiếc smartphone cao cấp tiếp theo, bao gồm cả AI Live Translate Call , tính năng mà công ty xác nhận sẽ ra mắt vào đầu năm tới.

Và Samsung được cho là sẽ giới thiệu S24 như một “điện thoại AI”. Sau tất cả, có lẽ Galaxy S24 cũng sẽ được dùng làm bệ phóng cho LLW DRAM.

Samsung được cho là sẽ ra mắt chiếc điện thoại hàng đầu tiếp theo tại San Jose vào ngày 17 tháng 1 . Chúng tôi sẽ thông báo cho bạn khi có thêm thông tin chi tiết.